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信越化学工業株式会社（本社：東京、社長：斉藤恭彦、以下信越化学）は、GaN関連基板およびエピタキシャル膜製品の事業化に向け、量産体制を拡充します。

信越化学は、2019年にQromis,Inc.（本社：米カリフォルニア州、CEO：Cem Basceri、以下Qromis社）との間で、高品質で反りが小さいGaN成膜が可能な基板材料（QST基板）のライセンス契約を締結いたしました。
QST基板はCMOSプロセスに最適であり、その特長を生かし、1800V以上の耐圧が求められるパワーデバイス、5Gおよび 5G以降の世代向けのRFデバイスや、マイクロLEDディスプレイ等への適用が可能です。信越化学では、QST基板に独自の改良を加え、パワーデバイスと高周波デバイス向けの双方に求められる６インチ、８インチのGaNエピタキシャル成長用基板の供給体制を整えました。Qromis社との連携により更なる高品質化を進めるとともに、今般の急速な需要の拡大に合わせ、生産体制の倍増に向けた投資を進めて参ります。

更に、半導体シリコンウエハーを製造する子会社の信越半導体株式会社（本社：東京、社長：秋谷文男、以下信越半導体）が、サンケン電気株式会社（本社：埼玉県新座市、社長：髙橋広、以下サンケン電気）から、GaNエピタキシャル成長の技術供与を受けることになりました。本契約により、信越半導体は、国内外に、パワーデバイス用、高周波デバイス用及び発光デバイス用等のGaNエピタキシャル基板製品を製造、販売することが可能となります。

GaN半導体は、電動自動車等のモビリティーの進化、５Gやデジタライゼーションなどで求められる高デバイス特性と省エネルギーを実現するデバイスとして、今後需要が大きく拡大することが期待されています。

信越化学および信越半導体をはじめとする当社グループは、将来的に300㎜も含む大口径GaN関連製品を供給することで、エネルギーを効率的に利用できる持続可能な社会の実現に貢献してまいります。

以上