生成AIの誕生以来、AIの社会実装が本格化しています。自動車、ドローン、ロボットなどをAIで運用するフィジカルAIの発展によって、今後さらに、AIは産業や生活のインフラテクノロジーとなっていくことが予測されます。その一方で、AIの社会実装を進める上の課題も見えてきました。その一つが電力消費量の増大です。AIのパフォーマンスを最大にするため、AI半導体の消費電力は増大の一途をたどっており、データセンターの電力消費量は飛躍的に伸長しています。
このような中、今後AIを社会的なインフラとして活用していくには、AIチップの高効率化、データセンターの省電力化、通信の高効率化、さらには自動車、ロボットなど応用分野でも省エネルギー化が求められています。
信越化学グループは、全てのAI半導体の基板となるシリコンウエハー(単結晶シリコン)で世界のトップシェアを有するだけでなく、半導体回路のパターン形成、チップを保護するモールディングなどの製造工程に必要な材料を供給しています。また、半導体チップ・サーバーの冷却、ストレージや光通信など、AIのパフォーマンスを最大限引き出す環境を整えるための分野でも、多様な材料の開発・製造を手がけています。この多様な製品群を通じて、AI半導体でもさまざまな技術革新に寄与するだけでなく、データセンターをはじめAIの活用環境での省エネルギー化や資源の有効活用に幅広く貢献しています。
信越化学グループの主なAI関連製品
シリコーンオイル★
放熱シリコーンゴム加工品★
CPO材料
TBDB材料
例)シリコンウエハー、フォトレジストなど
GaN成長用のQST™基板、
GaN成長済みQST™基板★
AI半導体はそのデータ処理能力の向上に向けて、最先端では回路線幅が数ナノメートル※1にまで細密化し、さらにメモリーにおいては、DRAM※2を何層にも重ねたHBM※3など新たな技術が次々と登場しています。信越化学グループは最高品質のシリコンウエハーとともに、回路形成に不可欠な高純度の成膜ガス、回路のパターン形成に必要なフォトレジスト、回路パターン原板となるフォトマスクブランクス、防じん膜となるペリクル、さらに先端半導体の製造に欠かせないTBDB材料など、半導体製造工程だけでも最先端のニーズに対応する幅広い材料を提供するとともに、新規材料の開発を通じて、AI半導体の高効率化に寄与しています。また、チップの消費電力の増大によりますます重要になっているチップからの放熱に関しても、シリコーンを活用したTIM※4により、効果的な放熱ソリューションを提供しています。
それでも、データセンターの冷却にかかる消費電力は、すでに施設全体の消費電力の40%程度に達していると言われています。今後、ますます大容量・高速化が進む中で、よりいっそう効果的な冷却システムが求められており、電気絶縁性の高い液体による冷却システム(液浸冷却)の導入も本格化しようとしています。信越化学では環境負荷の低い非フッ素系(non-PFAS※5)で、安定性に優れるため長期間使用できるシリコーンオイルの液浸冷却システムの実用化を推進しており、データセンターの省エネルギー化に貢献するとともに、省資源化にも貢献します。
電力の制御に欠かせないパワー半導体分野でも、次世代材料の中心として注目される窒化ガリウム(GaN)の成長に最適化したQST™基板の開発に取り組み、データセンターの電力消費量の大幅な削減という課題に応えようとしています。
※11ナノメートル
1mmの100万分の1
※2DRAM (Dynamic Random Access Memory)
半導体メモリーの1つで、PCやスマートフォンのメインメモリーとして一般的に使用される。
※3HBM (High Bondwidth Memory)
複数のDRAMチップを積み重ねた半導体メモリーで、膨大なデータの高速処理が可能。
※4TIM (Thermal Interface Material)
AIチップなどの発熱体と放熱部材の間を埋め、効果的に熱を排出する材料。
※5PFAS
ペルフルオロアルキル化合物およびポリフルオロアルキル化合物の総称。
いま、AI半導体が牽引する形で、データ処理の高速化と低消費電力化を同時に目指す次世代技術として、光信号処理の領域をできるだけ拡張する光電融合というコンセプトの開発、実証が進んでいます。このような次世代技術で活用が期待されるSOIウエハー※も、信越化学は、品質に優れた製品を安定供給しています。このほか、次世代プラットフォームに求められる特性を実現する光ファイバープリフォームや、光電融合のキーとなる光変調器用材料などの開発も推進。信越化学グループは、製造、販売、研究開発が一体となって社会や時代の要請をいち早くとらえ、AI分野をはじめ産業や生活の幅広い分野をカバーする製品群の安定供給を通じて、これからも持続可能な社会に寄与していきます。
※SOI (Silicon on Insulator)
Si基板上の絶縁層の上にSiの薄膜を貼り合わせた複合ウエハー。
#01
液浸冷却
シリコーンの優れた特性が
データセンターの
省エネルギー、
省資源化に貢献
インタビューを読む
シリコーン事業本部 営業第一部
オイルグループ S.I.
シリコーン電子材料技術研究所
第一部開発室 S.F.
サーバーを丸ごと浸けて冷やすために
お客さまの要望に沿って特性を変えられる強み
地域社会や家庭にも貢献できる未来へ
#02
放熱シリコーンゴム
加工品
環境負荷を抑制して
AIの安定稼働を支える
シリコーンの放熱材料
インタビューを読む
シリコーン電子材料技術研究所
第二部開発室 主任研究員 K.T.
シリコーン事業本部 営業第三部
開発製品グループ S.A.
AIの安定稼働に放熱材料は不可欠
製品設計の自由度が高いことがシリコーンの強み
増大し続ける電力消費の抑制に貢献
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※主鎖
ケイ素と酸素が交互に結合して形成されるシリコーンの主骨格で、シロキサン結合と呼ばれる。この主鎖にさまざまな有機基を結合させることで、多様な特性を付与することができるのがシリコーンの特長。
#03
QST™基板
データセンターの
電力需要を大幅に
低減する次世代
パワー半導体を開発
インタビューを読む
信越化学工業 GaN事業推進室
室長 M.Y.
「GaN成長用のQST™基板」の基礎技術を確立
AIが普及する中で、それを支えるデータセンターの電力消費量の削減が、大きな課題となっています。国際エネルギー機関(IEA)の推計では、2024年の世界のデータセンターの電力需要量は415テラワット時、2030年には日本1国の電力消費量を上回る945テラワット時にも達する見込みです。この莫大な電力需要を抑えるために、いまパワー半導体の革新が急務です。パワー半導体は、データセンターに送られてきた高電圧の交流電気を直流に変えたり、電圧を変換したり、周波数を制御するなどの役割を果たす半導体で、データセンターの受電部分から、頭脳にあたるサーバーへの電力供給まで、随所に、数多く用いられています。それだけに、熱などの形で逃げている電気エネルギーの損失を低減するといった課題の解決に向けて、パワー半導体の高性能化が強く期待されています。
このパワー半導体の次世代素材として、信越化学は窒化ガリウム(GaN)に着目し、2019年に米国のクロミス社とライセンス契約を結び、GaN製膜用のQST™※基板の開発を本格化させました。GaNは、電気エネルギーの損失を抑え、デバイスのコンパクト化に貢献するなど、優れた特性が期待されていますが、これまでその特性を発揮できる基板をつくるのが困難でした。私たちは、この難点を克服するために、独自の技術を取り入れて、欠陥の発生を抑え、大口径のウエハー製造を可能にするとともに、パワー半導体の「種結晶」としてより高性能な炭化ケイ素(SiC)やGaNなどが選べるようにし、さらにベースとなる基板のリサイクルも可能にしました。これにより1200Vという高電圧の負荷にも耐えることで、データセンターの受電部分のパワー半導体として利用でき、しかも従来のデバイスより8割以上もエネルギー損失を抑制することが可能になります。また、電源部品のコンパクト化を可能にし、さらに放熱も抑制できるので、冷却などにかかる電力消費量も削減でき、データセンター全体の電力需要を飛躍的に低減できます。また、リサイクルによって従来のような結晶基板製造にかかる電力を削減し、希少な材料であるガリウム(Ga)の消費量を抑えることも可能になります。
グループ各社やお客さまとのパートナーシップで
このような次世代パワー半導体の基礎技術には、信越化学が長年にわたって培ってきた化合物半導体製造の技術や知見が、生かされています。私自身、LEDなどに使われている化合物半導体の開発や販売に携わってきた経験があり、それがQST™基板の開発に役立ちました。また、お客さまのニーズなどの情報収集や、技術検証のためにデバイスメーカーのご協力が不可欠ですが、そこではグループ会社の信越半導体や世界的なグループネットワークが、大きな助けになっています。私たちはあくまでも素材メーカーなので、デバイスを組んだ時の性能評価は、やはりデバイスメーカーや世界的な研究開発機関にお願いする必要があります。新しく開発したQST™基板の性能評価も、お客さまであるデバイスメーカーや研究機関の協力を得て進めてきたのですが、2025年には高評価を得て、従来困難とされてきた300ミリの大口径ウエハーも実用化できると確信が持てました。
また、従来の化合物半導体のお客さまとのパートナーシップも、今回、大いに生かすことができました。LED用の化合物半導体で関係のあった沖電気に、GaNデバイスのベースとなるQST™基板のリサイクルについてお話をしたところ、同社の保有するCFB®技術が活用できるということがわかり、GaNデバイスの社会実装に向けた共同開発が進んでいます。このリサイクルによって、基板製造にかかるエネルギーと材料を大幅に削減することが可能になりますし、GaN基板を使用しないという意味で貴重なGa資源を有効活用できると考えています。
社会実装に向けて、さらに注力
QST™基板は、ようやく基礎技術ができた段階で、パワーデバイスとして全世界に普及していくまでには、まだいくつもの山を越えることになるでしょう。しかし、私たちにはお客さまとのパートナーシップで壁を突破するという基盤があり、世界中の信越化学グループ各社の応援があるので、必ずや困難を克服して、イノベーションを成し遂げることができると確信しています。
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※QST™
Qromis Substrate Technologyの略。米国クロミス社が特許を有する窒化ガリウム(GaN)テクノロジー。 信越化学は、独自技術を導入することで、欠陥やクラックの発生を抑えて大口径化を可能にするなど従来のQST™基板の特性を、さらに改善し、同基板の第二世代、第三世代の開発へと発展させています。
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