AI-Driven FutureAI瀟䌚をリヌドするシン゚ツの補品

AI瀟䌚をリヌドする信越化孊補品

AI半導䜓補造ず利甚の最先端を支える補品矀

生成AIの誕生以来、AIの瀟䌚実装が本栌化しおいたす。自動車、ドロヌン、ロボットなどをAIで運甚するフィゞカルAIの発展によっお、今埌さらに、AIは産業や生掻のむンフラテクノロゞヌずなっおいくこずが予枬されたす。その䞀方で、AIの瀟䌚実装を進める䞊の課題も芋えおきたした。その䞀぀が電力消費量の増倧です。AIのパフォヌマンスを最倧にするため、AI半導䜓の消費電力は増倧の䞀途をたどっおおり、デヌタセンタヌの電力消費量は飛躍的に䌞長しおいたす。

このような䞭、今埌AIを瀟䌚的なむンフラずしお掻甚しおいくには、AIチップの高効率化、デヌタセンタヌの省電力化、通信の高効率化、さらには自動車、ロボットなど応甚分野でも省゚ネルギヌ化が求められおいたす。

信越化孊グルヌプは、党おのAI半導䜓の基板ずなるシリコンり゚ハヌ単結晶シリコンで䞖界のトップシェアを有するだけでなく、半導䜓回路のパタヌン圢成、チップを保護するモヌルディングなどの補造工皋に必芁な材料を䟛絊しおいたす。たた、半導䜓チップ・サヌバヌの冷华、ストレヌゞや光通信など、AIのパフォヌマンスを最倧限匕き出す環境を敎えるための分野でも、倚様な材料の開発・補造を手がけおいたす。この倚様な補品矀を通じお、AI半導䜓でもさたざたな技術革新に寄䞎するだけでなく、デヌタセンタヌをはじめAIの掻甚環境での省゚ネルギヌ化や資源の有効掻甚に幅広く貢献しおいたす。

信越化孊グルヌプの䞻なAI関連補品
クラりド・デヌタセンタヌ
クラりド・デヌタセンタヌ 補品リスト

電子材料党般

䟋シリコンり゚ハヌ、フォトレゞストなど

液浞冷华

シリコヌンオむル★

゚ッゞコンピュヌタ
゚ッゞデバむス 補品リスト
ドロヌン
IoTデバむス

電子材料党般

䟋シリコンり゚ハヌ、フォトレゞストなど

電源・ケヌブル 補品リスト
電源

GaN成長甚のQST™åŸºæ¿ã€
GaN成長枈みQST™åŸºæ¿â˜…

倚様な材料の開発ず革新を通じおAIの進化を促進

AI半導䜓はそのデヌタ凊理胜力の向䞊に向けお、最先端では回路線幅が数ナノメヌトル※1にたで现密化し、さらにメモリヌにおいおは、DRAM※2を䜕局にも重ねたHBM※3など新たな技術が次々ず登堎しおいたす。信越化孊グルヌプは最高品質のシリコンり゚ハヌずずもに、回路圢成に䞍可欠な高玔床の成膜ガス、回路のパタヌン圢成に必芁なフォトレゞスト、回路パタヌン原板ずなるフォトマスクブランクス、防じん膜ずなるペリクル、さらに先端半導䜓の補造に欠かせないTBDB材料など、半導䜓補造工皋だけでも最先端のニヌズに察応する幅広い材料を提䟛するずずもに、新芏材料の開発を通じお、AI半導䜓の高効率化に寄䞎しおいたす。たた、チップの消費電力の増倧によりたすたす重芁になっおいるチップからの攟熱に関しおも、シリコヌンを掻甚したTIM※4により、効果的な攟熱゜リュヌションを提䟛しおいたす。

それでも、デヌタセンタヌの冷华にかかる消費電力は、すでに斜蚭党䜓の消費電力の40%皋床に達しおいるず蚀われおいたす。今埌、たすたす倧容量・高速化が進む䞭で、よりいっそう効果的な冷华システムが求められおおり、電気絶瞁性の高い液䜓による冷华システム液浞冷华の導入も本栌化しようずしおいたす。信越化孊では環境負荷の䜎い非フッ玠系non-PFAS※5で、安定性に優れるため長期間䜿甚できるシリコヌンオむルの液浞冷华システムの実甚化を掚進しおおり、デヌタセンタヌの省゚ネルギヌ化に貢献するずずもに、省資源化にも貢献したす。

電力の制埡に欠かせないパワヌ半導䜓分野でも、次䞖代材料の䞭心ずしお泚目される窒化ガリりムGaNの成長に最適化したQST™åŸºæ¿ã®é–‹ç™ºã«å–り組み、デヌタセンタヌの電力消費量の倧幅な削枛ずいう課題に応えようずしおいたす。

※11ナノメヌトル
1mmの100䞇分の1

※2DRAM (Dynamic Random Access Memory)
半導䜓メモリヌの1぀で、PCやスマヌトフォンのメむンメモリヌずしお䞀般的に䜿甚される。

※3HBM (High Bondwidth Memory)
耇数のDRAMチップを積み重ねた半導䜓メモリヌで、膚倧なデヌタの高速凊理が可胜。

※4TIM (Thermal Interface Material)
AIチップなどの発熱䜓ず攟熱郚材の間を埋め、効果的に熱を排出する材料。

※5PFAS
ペルフルオロアルキル化合物およびポリフルオロアルキル化合物の総称。

補造販売研究開発が䞀䜓ずなっお次䞖代ぞ

いた、AI半導䜓が牜匕する圢で、デヌタ凊理の高速化ず䜎消費電力化を同時に目指す次䞖代技術ずしお、光信号凊理の領域をできるだけ拡匵する光電融合ずいうコンセプトの開発、実蚌が進んでいたす。このような次䞖代技術で掻甚が期埅されるSOIり゚ハヌ※も、信越化孊は、品質に優れた補品を安定䟛絊しおいたす。このほか、次䞖代プラットフォヌムに求められる特性を実珟する光ファむバヌプリフォヌムや、光電融合のキヌずなる光倉調噚甚材料などの開発も掚進。信越化孊グルヌプは、補造、販売、研究開発が䞀䜓ずなっお瀟䌚や時代の芁請をいち早くずらえ、AI分野をはじめ産業や生掻の幅広い分野をカバヌする補品矀の安定䟛絊を通じお、これからも持続可胜な瀟䌚に寄䞎しおいきたす。

※SOI (Silicon on Insulator)
Si基板䞊の絶瞁局の䞊にSiの薄膜を貌り合わせた耇合り゚ハヌ。

#01 液浞冷华 シリコヌンの優れた特性が
デヌタセンタヌの
省゚ネルギヌ、
省資源化に貢献
むンタビュヌを読む
シリコヌン事業本郚 営業第䞀郚
オむルグルヌプ S.I.
シリコヌン電子材料技術研究所
第䞀郚開発宀 S.F.

サヌバヌを䞞ごず浞けお冷やすために

S.I.
デヌタセンタヌでは、埓来、空調装眮でセンタヌ内を冷やしおいたした。しかし、サヌバヌによるデヌタ凊理の倧容量・高速化が進むず、サヌバヌから発生する熱も増倧するので、この熱をいかに効率よく排出するかが倧きな課題になっおいたす。その解決方法ずしお、いた開発が進んでいるのがサヌバヌ自䜓を液䜓に浞けお冷やす液浞冷华システムで、そこに䜿う冷华オむルの有力候補ずなっおいるのがシリコヌンオむルです。
S.F.
冷华オむルには、シリコヌンオむルの他にも、石油系やフッ玠系のオむルなどがありたすが、シリコヌンオむルは抜矀の安定性を有しおいお劣化しにくい、非PFASでGWP地球枩暖化係数やODPオゟン局砎壊係数がれロ、匕火点が高い、絶瞁性に優れおいる、もちろん化粧品にも䜿われるくらいですから、安党性にも優れおいるなど、数倚くの優䜍点を備えおいたす。
S.I.
ですから、液浞冷华に関心を寄せるお客さたに、シリコヌンオむルの優䜍性を蚎求しおいたす。しかし、デヌタセンタヌの運営事業者、サヌバヌメヌカヌ、その郚材メヌカヌ、液浞冷华システムのメヌカヌなど関係先が数倚く、安党性䞀぀ずっおも囜や地域によっお基準や考え方が異なるなど、冷华オむルの䜕を重芖しおいるかがたちたちです。そのため海倖ネットワヌクなどの協力を埗ながら広く情報収集を進め、2人でその点を敎理しおいたす。
S.I.
S.F.
信越化孊グルヌプではすでに倚くのシリコヌンオむルのラむンナップをそろえおいたすが、そうした既存品に加え、お客さたの芁望に合わせおカスタマむズした新芏補品の開発なども必芁です。ただ、お客さたの間でも液浞冷华甚オむルのスタンダヌド暙準を探っおいる状態で、ご芁望も千差䞇別なので、こちらから早くそのスタンダヌドを提案し、液浞冷华甚オむルのラむンナップをそろえおいきたいず考えおいたす。

お客さたの芁望に沿っお特性を倉えられる匷み

S.I.
通信の䞖界が第5䞖代5G、第6䞖代6Gぞず進む䞭で、通信速床を䞊げるには液浞冷华に䜿うオむルにも電気゚ネルギヌの損倱を抑える電気特性が求められおいたす。シリコヌンオむルは、新幹線の倉圧噚の絶瞁油にも䜿われおいるほど、優れた絶瞁性ず安党性を有し、しかも長期的に安定した性胜を発揮する信頌性の高い補品です。
S.F.
もう䞀぀重芖される電気特性に䜎誘電特性がありたす。冷华オむルの誘電率が䜎いず静電容量が小さくなるため、電気がたたりにくく絶瞁性が安定したす。サヌバヌの電気的障害を抑えるためにも、これをどこたで䜎く抑えるかが重芁な課題になっおいたす。シリコヌンオむルは化孊構造を倉えるこずで、この誘電率をコントロヌルできるずいう利点があるので、そこを積極的にお客さたに䌝えおいたす。ただ、AIの䞖界は技術革新のスピヌドが速く、芁求レベルもどんどん匕き䞊げられおいたす。これをキャッチアップしながら、開発スピヌドを䞊げるこずが私たちの倧きな課題です。そこで近幎は、実隓による玠材の研究だけでなくコンピュヌタヌを掻甚した蚈算科孊的な手法も取り入れお、開発の迅速化に生かしおいたす。
S.I.
いたはただ、液浞冷华甚のオむルの本呜が定たっおいない状況ですが、お客さたずもいっしょになっお、シリコヌンオむルの優䜍性に磚きをかけおいき、実瞟を増やしおいくこずで、液浞冷华にはシリコヌンオむルずいうトレンドを䜜っおいくこずが倧切だず考えおいたす。
S.F.
実際に、シリコヌンオむルの優れた安定性は、液浞冷华甚のオむルずしおも重芁な優䜍点で、倉色したり粘床が䞊がったりするような劣化がみられないので、長期間にわたり亀換が䞍芁です。無色透明、無臭で、液䜓に浞かっおいるサヌバヌの现郚を芖認しやすいずいったメリットもありたす。ずりわけ信越化孊のシリコヌンオむルは高床な品質ず安定䟛絊に定評があるので、その点もお客さたぞのアピヌル点になっおいたす。
S.F.

地域瀟䌚や家庭にも貢献できる未来ぞ

S.I.
液浞冷华システムは、シリコヌンオむルなどでサヌバヌから出る熱を受け取り、これを熱亀換噚に送っお氎でオむルを冷やし、再び液浞冷华に䜿うずいう仕組みです。将来的にはその熱亀換噚で枩められた氎を掻甚しお、地域の暖房などに有効利甚できたらいいなず考えおいたす。たた、デヌタセンタヌから出た熱を利甚しお“デヌタ銭湯”を䜜ったら地域の皆さんに喜ばれ、地域貢献にもなっお゚コな瀟䌚になるず思いたす。
S.F.
熱の掻甚ずいう点では、各家庭の地䞋にサヌバヌを眮いおその熱を電気゚ネルギヌに倉えお、家庭で䜿うずいう未来像も考えられたすね。家庭の床䞋で省゚ネルギヌ化や脱炭玠化に、シリコヌンオむルが貢献しおいる未来瀟䌚もあながち倢ずは蚀えたせん。そうなれば液浞冷华がシリコヌンオむルの䞀倧甚途ずなりたす。そういう未来を匕き寄せられるよう、液浞冷华甚オむルの開発をリヌドしおいきたいず考えおいたす。
#02 攟熱シリコヌンゎム
加工品
環境負荷を抑制しお
AIの安定皌働を支える
シリコヌンの攟熱材料
むンタビュヌを読む
シリコヌン電子材料技術研究所
第二郚開発宀 䞻任研究員 K.T.
シリコヌン事業本郚 営業第䞉郚
開発補品グルヌプ S.A.

AIの安定皌働に攟熱材料は䞍可欠

S.A.
生成AIの登堎ず普及を機に、AIは私たちの日垞生掻により身近なものずなりたした。AIチップが䜿われる堎も、デヌタセンタヌにたくさん䞊んでいるサヌバヌだけでなく、自動車の自動運転、自埋型ロボット、ドロヌンなど、今埌、さたざたな分野/甚途ぞず広がっおいきたす。AIチップに぀いお、デヌタ凊理の高速化や倧容量化が進んでおり、たすたす発熱量も増加しおいたす。いかなる環境でも、その熱を逃がすこずが、AIチップの機胜をフルに匕き出すためには䞍可欠で、私たちが手掛けおいるシリコヌンの攟熱材料TIMThermal Interface Materialぞの芁求はたすたす高床化しおいたす。
K.T.
攟熱がいかに重芁かずいうこずで、以前、普段䜿甚するPCPersonal Computerを攟熱材料なしで起動させおみたのですが、その時はたったく起動したせんでした。たずえ起動したずしおも、発熱が続けば発火する危険性もありたす。それくらいチップの発熱は、コンピュヌタヌやサヌバヌにずっお倧敵です。チップの呚蟺には冷华機構がありたすが、それでもチップず冷华機構の接觊面に空気が入っおいるず攟熱効果が劣りたす。TIMは、この隙間を埋めお効率的に熱を䌝える圹割をしおいたす。
S.A.

補品蚭蚈の自由床が高いこずがシリコヌンの匷み

K.T.
TIMは、ベヌスずなるポリマヌ暹脂ずフィラヌ充填材の耇合材料で、そのベヌスポリマヌにはシリコヌン以倖の材料も遞択肢ずしおありたす。しかし、シリコヌンには2぀の匷みがありたす。1぀は、耐候性・耐熱性・耐寒性など安定性に優れおいるずいう点です。もう぀は、ケむ玠ず酞玠からなる䞻鎖しゅさ※にさたざたな有機基が結合する構造なので、有機基を適切に遞択するこずでお客さたのご芁望に合わせおカスタマむズできるずいう点です。補品蚭蚈の自由床が高く、オヌダヌメむドも可胜ずいう匷みを生かすためには、たず、お客さたのご芁望を正確に把握し、迅速に開発を進めるこずが倧切です。
S.A.
AI垂堎が急成長し、攟熱材料ぞのニヌズも急速に高たった結果、新芏参入メヌカヌも倚くなり、競争が激化しおいたす。その䞭で、信越化孊はすでに30幎以䞊におよぶシリコヌン攟熱材料の補造実瞟があり、その知芋なども生かしおお客さたのご芁望にお応えできる匷みがありたす。その匷みを発揮するために、お客さたのもずには、営業担圓の私ず研究開発担圓のK.T.が同行するこずが倚いですね。海倖のお客さたが倚いのですが、海倖にも2人で蚪問し、その堎で技術的な芁望や課題などを正確に把握するこずが、開発のスピヌドアップに぀ながりたす。競争が激化する䞭で、開発スピヌドはたすたす重芁になっおいたす。
K.T.

増倧し続ける電力消費の抑制に貢献

S.A.
TIMの性胜は、TIMが䜿甚される機噚の冷华効率に盎結したす。性胜が䜎いず効果的に攟熱されず、サヌバヌ党䜓の冷华などに、倚くの電力が䜿われるこずになりたす。ですから、チップが䜿われおいる環境に合臎した攟熱材を蚭蚈しお提䟛するこずは、デヌタセンタヌなどの消費電力削枛をはじめ、環境負荷の䜎枛に寄䞎したす。
K.T.
ただ、近幎のAIチップは機胜の高床化ずずもに圢状が耇雑化しおいるだけでなく、チップの倧型化ず基板の薄化が同時に進んでいるので、お客さたのご芁望にお応えするためのハヌドルがどんどん高くなっおいたす。AIチップはメむン回路に加えおHBM耇局化したメモリヌ回路などが接続されおいお、発熱の床合いが均䞀ではなく、チップの皌働時に生じる反りや倉圢も均䞀ではありたせん。TIMはそのチップの倉化に远埓しおいく必芁がありたす。たた、チップ自䜓の蚭蚈が倉わっお発熱郚分が埓来より数ミリ移動しおも、それに合わせないずTIMによる攟熱効果が十分に埗られなくなっおしたいたす。そのような課題をクリアしおいくには、垞にAIチップ自䜓の最新情報をキャッチアップしおいかないずいけたせん。そのあたりの情報収集も営業担圓者にお願いしお、頻繁に顔を合わせおコミュニケヌションを取っおいたす。
S.A.
いたやAIが私たちの日垞生掻に入り蟌んできおいお、そこに自分たちが手掛けおいる補品が圹立っおいるず考えるず、誇らしさも感じたす。私たちは品質に優れた補品を提䟛しおいるずいう自負を持っお、たすたす倚様な分野で䜿っおいただけるよう、これからも努めおいきたいず考えおいたす。
K.T.
最近では、私たちの研究開発分野でもAIを掻甚しお、開発スピヌドを加速する取り組みを進めおいたす。そこから生たれたTIMが、さらにAIチップの高性胜化に圹立぀ずいうサむクルを生みだすこずを想像するず、たすたすやりがいを感じたすね。
  • ※
    䞻鎖
    ケむ玠ず酞玠が亀互に結合しお圢成されるシリコヌンの䞻骚栌で、シロキサン結合ず呌ばれる。この䞻鎖にさたざたな有機基を結合させるこずで、倚様な特性を付䞎するこずができるのがシリコヌンの特長。
#03 QST™åŸºæ¿ デヌタセンタヌの
電力需芁を倧幅に
䜎枛する次䞖代
パワヌ半導䜓を開発
むンタビュヌを読む
信越化孊工業 GaN事業掚進宀
宀長 M.Y.

「GaN成長甚のQST™åŸºæ¿ã€ã®åŸºç€ŽæŠ€è¡“を確立

AIが普及する䞭で、それを支えるデヌタセンタヌの電力消費量の削枛が、倧きな課題ずなっおいたす。囜際゚ネルギヌ機関IEAの掚蚈では、2024幎の䞖界のデヌタセンタヌの電力需芁量は415テラワット時、2030幎には日本1囜の電力消費量を䞊回る945テラワット時にも達する芋蟌みです。この莫倧な電力需芁を抑えるために、いたパワヌ半導䜓の革新が急務です。パワヌ半導䜓は、デヌタセンタヌに送られおきた高電圧の亀流電気を盎流に倉えたり、電圧を倉換したり、呚波数を制埡するなどの圹割を果たす半導䜓で、デヌタセンタヌの受電郚分から、頭脳にあたるサヌバヌぞの電力䟛絊たで、随所に、数倚く甚いられおいたす。それだけに、熱などの圢で逃げおいる電気゚ネルギヌの損倱を䜎枛するずいった課題の解決に向けお、パワヌ半導䜓の高性胜化が匷く期埅されおいたす。

このパワヌ半導䜓の次䞖代玠材ずしお、信越化孊は窒化ガリりムGaNに着目し、2019幎に米囜のクロミス瀟ずラむセンス契玄を結び、GaN補膜甚のQST™â€»åŸºæ¿ã®é–‹ç™ºã‚’本栌化させたした。GaNは、電気゚ネルギヌの損倱を抑え、デバむスのコンパクト化に貢献するなど、優れた特性が期埅されおいたすが、これたでその特性を発揮できる基板を぀くるのが困難でした。私たちは、この難点を克服するために、独自の技術を取り入れお、欠陥の発生を抑え、倧口埄のり゚ハヌ補造を可胜にするずずもに、パワヌ半導䜓の「皮結晶」ずしおより高性胜な炭化ケむ玠SiCやGaNなどが遞べるようにし、さらにベヌスずなる基板のリサむクルも可胜にしたした。これにより1200Vずいう高電圧の負荷にも耐えるこずで、デヌタセンタヌの受電郚分のパワヌ半導䜓ずしお利甚でき、しかも埓来のデバむスより8割以䞊も゚ネルギヌ損倱を抑制するこずが可胜になりたす。たた、電源郚品のコンパクト化を可胜にし、さらに攟熱も抑制できるので、冷华などにかかる電力消費量も削枛でき、デヌタセンタヌ党䜓の電力需芁を飛躍的に䜎枛できたす。たた、リサむクルによっお埓来のような結晶基板補造にかかる電力を削枛し、垌少な材料であるガリりムGaの消費量を抑えるこずも可胜になりたす。

グルヌプ各瀟やお客さたずのパヌトナヌシップで

このような次䞖代パワヌ半導䜓の基瀎技術には、信越化孊が長幎にわたっお培っおきた化合物半導䜓補造の技術や知芋が、生かされおいたす。私自身、LEDなどに䜿われおいる化合物半導䜓の開発や販売に携わっおきた経隓があり、それがQST™åŸºæ¿ã®é–‹ç™ºã«åœ¹ç«‹ã¡ãŸã—た。たた、お客さたのニヌズなどの情報収集や、技術怜蚌のためにデバむスメヌカヌのご協力が䞍可欠ですが、そこではグルヌプ䌚瀟の信越半導䜓や䞖界的なグルヌプネットワヌクが、倧きな助けになっおいたす。私たちはあくたでも玠材メヌカヌなので、デバむスを組んだ時の性胜評䟡は、やはりデバむスメヌカヌや䞖界的な研究開発機関にお願いする必芁がありたす。新しく開発したQST™åŸºæ¿ã®æ€§èƒœè©•䟡も、お客さたであるデバむスメヌカヌや研究機関の協力を埗お進めおきたのですが、2025幎には高評䟡を埗お、埓来困難ずされおきた300ミリの倧口埄り゚ハヌも実甚化できるず確信が持おたした。

たた、埓来の化合物半導䜓のお客さたずのパヌトナヌシップも、今回、倧いに生かすこずができたした。LED甚の化合物半導䜓で関係のあった沖電気に、GaNデバむスのベヌスずなるQST™åŸºæ¿ã®ãƒªã‚µã‚€ã‚¯ãƒ«ã«ã€ã„おお話をしたずころ、同瀟の保有するCFB®æŠ€è¡“が掻甚できるずいうこずがわかり、GaNデバむスの瀟䌚実装に向けた共同開発が進んでいたす。このリサむクルによっお、基板補造にかかる゚ネルギヌず材料を倧幅に削枛するこずが可胜になりたすし、GaN基板を䜿甚しないずいう意味で貎重なGa資源を有効掻甚できるず考えおいたす。

瀟䌚実装に向けお、さらに泚力

QST™åŸºæ¿ã¯ã€ã‚ˆã†ã‚„く基瀎技術ができた段階で、パワヌデバむスずしお党䞖界に普及しおいくたでには、ただいく぀もの山を越えるこずになるでしょう。しかし、私たちにはお客さたずのパヌトナヌシップで壁を突砎するずいう基盀があり、䞖界䞭の信越化孊グルヌプ各瀟の応揎があるので、必ずや困難を克服しお、むノベヌションを成し遂げるこずができるず確信しおいたす。

  • ※
    QST™
    Qromis Substrate Technologyの略。米囜クロミス瀟が特蚱を有する窒化ガリりムGaNテクノロゞヌ。 信越化孊は、独自技術を導入するこずで、欠陥やクラックの発生を抑えお倧口埄化を可胜にするなど埓来のQST™åŸºæ¿ã®ç‰¹æ€§ã‚’、さらに改善し、同基板の第二䞖代、第䞉䞖代の開発ぞず発展させおいたす。