レーザデボンド装置

半導体パッケージング工程、超薄型半導体の製造工程において、テンポラリボンディング層をレーザによりストレスなく剥離する工程に用いられるレーザデボンド装置です。
IBM社よりライセンスを取得した、レーザ波長355nmパルスレーザを採用し、レーザの吸収はテンポラリ樹脂層の極表面のみが吸収され、デバイスへのダメージが発生し難いことが特徴です。
大面積のパネルサイズFOPLPにも対応しており、最大600mm□ワークまで均一な照射を行うことができます。