ハイブリッドウェーハ

シリコンやGaN，SiC等のワイドバンドギャップ材料、LT,LN等の圧電材料をアクティブ層とし、これらをSi等の半導体やAlN,Si3N4等の絶縁性、高熱伝導性或いは石英等の透明性を持つベース基板上に独自の貼り合せ技術でハイブリッド化させたウェーハです。
IOTや5G、車載向けデバイスで、RFやパワーデバイス等に好適な基板を提供いたします。
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