ハイブリッドウェーハ

シリコンやGaN,SiC等のワイドバンドギャップ材料、LT,LN等の圧電材料をアクティブ層とし、これらをSi等の半導体やAlN,Si3N4等の絶縁性、高熱伝導性或いは石英等の透明性を持つベース基板上に独自の貼り合せ技術でハイブリッド化させたウェーハです。
IOTや5G、車載向けデバイスで、RFやパワーデバイス等に好適な基板を提供いたします。
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用途

  • 高特性CMOS用基板
  • ハイエンドRFデバイス用基板
  • パワーデバイス用基板
  • ハイパフォーマンス 5G用フィルター基板
  • 高特性、大口径 GaNエピタキシャル成長用テンプレート
  • Siフォトニクス、マイクロディスプレイ用基板
この製品へのお問い合わせ
  • 会社名:
    信越化学工業(株)
  • 部署名:
    精密機能材料研究所
  • 電話番号:
    027-384-5436