化合物半導体インゴット及びウェハー

信越半導体(SEH）は化合物半導体インゴットや各種ウェハー（バルクウェハー、エピタキシャルウェハー）を供給しております。
インゴット及びバルクウェハーはGaP(ガリウム燐)が主になります。エピタキシャルウェハーは、HVPE法によるGaAsP系、およびMOVPE法による各種As系、 P系エピタキシャル基板の供給実績がございます。
量産規模の生産だけでなく、各種試作・カスタムエピにも対応しています。

インゴット及びウェハー製品

インゴット/ウェハー	エピタキシャルウェハー
GaP(ガリウム燐)	HVPEエピタキシャルウェハー(GaP系)
	MOVPEエピタキシャルウェハー(GaAs,InP系)

GaP(ガリウム燐)インゴット

成長方法	口径	Type	Off axis
LEC	2"	N(non-doped)	Just
LEC	2"	N(Te doped)	Just/10deg/15deg
LEC	2-3"	P(Zn doped)	15deg

成長用GaP(ガリウム燐)ウェハー

表面仕上	口径	Type	Off axis
LEC	2"	N(non-doped)	Just
LEC	2"	N(Te doped)	Just/10deg/15deg
LEC	2-3"	P(Zn doped)	15deg

※結晶方位は(100)が基本ですが、他の方位をお望みの場合はお問い合わせください。

HVPEエピタキシャルウェハー

材料	口径	用途
GaAsP	2"	LED

HVPE-GaN成長の実績はございます。HVPE-GaN成長をお望みの場合はお問い合わせください。

MOVPEエピタキシャルウェハー

材料	口径	用途
AlGaInP/GaAs	2-6"	visible LED
AlGaAs/GaAs	2-6"	NIR LED/VCSEL
GaInAsP/GaAs	4-6"	NIR LED
GaInP/GaAs	4-6"	PV

※他の材料の作製をご希望の場合はお問い合わせください。As,P系を組み合わせた材料を用いたエピタキシャルウェハーの作製が可能です。