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信越半導体(SEH)は、カスタムデバイス向けの化合物半導体デバイス製造、開発、試作、パイロット生産向けプロセスを提供しています。
SEHではエピタキシャルウェハーからチップ試作まで承ることが可能で、小規模な試作・小規模量産から工程の一部テストまで承ります。 GaAs等の砒素を含む材料の工程時の処理にお困りの際はご相談ください。また、下記に記載のない試作・試験をご希望の場合はご相談ください。 |
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| ウェハー作製 | デバイス作製 | ダイス作製 | |
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| MOVPE成長 | 成膜サービス | ダイシング | |
| HVPE成長 | フォトリソグラフィー | プローブ＆各種評価 | |
| ラップ&ポリッシュ加工 | 電極形成 | 検査 | |
| ウェハー接合 | 乾式＆湿式エッチング | ||
| 電流狭窄加工 |
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GaAs系(AlGaInP、AlGaAs)の実績が豊富です。InP系(InGaAsP)も対応可能です。
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| 近赤外LED | |||
| 近赤外LED | |||
| VCSEL | |||
| 可視LED | |||
| 太陽電池 | |||
| HBT | |||
| pHEMT |
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InP/InGaAs系など一覧表にない材料系も可能です。 エピコストが上昇しがちな厚い電流拡散層を有するEPWやDBRを有する構造など、柔軟に対応します。 |
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| 可視LED | |||
| 再生ウェハー加工 | ||
| 再生ウェハー加工 | ||
| BG |
| 金属接合 | ||
| 金属接合 | ||
| フユージョン接合 | ||
| フユージョン接合 | ||
| 樹脂接合 | ||
| 樹脂接合 |
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プロセス詳細はお尋ねください。上記以外の基板との接合をご希望の場合はご相談ください。
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| Au, Al,Ti, Ni | ||
| Au | ||
| SiO2, SiNx | ||
| Au, Cr, ITO, MO, Si, Al2O3, SiO2, SiNx |
| 塗布/現像プロセスを含む | ||
| 塗布/現像プロセスを含む |
| 最大800℃ | ||
| 最大550℃ |
| 塩素系、フッ素系処理可能 | ||
| As系材料の処理可能 |
| エアスピンドルタイプ | ||
| アブレーションタイプ |
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SiCやサファイアなどの難切削材料のブレードダイシングも可能です。これらの材料のダイシングをご希望の際はご相談ください。
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| 主として縦型LED向けですが、上面二電極型も対応可能です。 | ||
| 1pAオーダーの測定が可能です | ||
| Ta-Vf/PO/WP | ||
| EIAJ ED-4701/100-103, 201-202に対応できます | ||
| ワイヤーボンディングとプルテストが可能です |
| RT | ||
| ω-2Θ | ||
| 接合界面のボイド検出用途 | ||
| TTV, bow | ||
| 電気化学式C-V | ||
| Van der Pauw法 | ||
| MM/HBM | ||
| 190-900nm | ||
| 段差計,光干渉式 |