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半導体事業部

取り扱い製品
高純度半導体シリコン、ラップドウエハー、ポリッシュドウエハー、拡散ウエハー、エピタキシャルウエハー、埋込拡散エピタキシャルウエハー、SOIウエハー、アニールウエハー
お問い合わせ先
電話:03-3246-5211 FAX:03-3246-5335

取り扱い製品
化合物半導体
お問い合わせ先
電話:027-385-2970 FAX:027-385-2773

 

半導体シリコン
信越グループは、ICの基板になるシリコンウエハーの世界のリーディングカンパニーとして大口径化、ハイフラットネスの最先端を走り続けてきました。次世代の300mmウエハーやSOIウエハーの製品化にもいち早く成功し、高品質の製品を安定して供給しています。また、発光ダイオードとしてGaP(ガリウムリン)、GaAs(ガリウムヒ素)、AlGaInP(アルミニウムガリウムインジウムリン)系化合物半導体の単結晶からチップまでを一貫生産するメーカーとして注目を集めています。信越グループは、世界でも最高級の評価を得ている単結晶化技術、高度加工技術、品質管理技術をさらに向上させ、IC向けシリコンウエハーの安定供給を続けていきます。
イレブンナイン(99.999999999%)の純度と均一な結晶構造を持つシリコン単結晶。 シリコン単結晶をスライスして研磨したシリコンウエハー。表面の平坦度はわずか65ナノメートル以下。

昔「火打ち石」、いまメインメモリの素。

昔は火打ち石に使われていた「けい石」。そこにたくさん含まれているケイ素を取り出して、作られるのが金属ケイ素。金属ケイ素から、99.999999999%という高純度のケイ素の塊、多結晶シリコンが作られます。信越化学では、この多結晶シリコンを原料に、結晶成長技術を駆使して一定の原子配列を持った直径約30センチ(12インチ)、長さ約1mという大きなシリコンの結晶(単結晶)を作ることができます。この単結晶の塊(インゴット)を、薄くスライスして作られるのがシリコンウェハーです。
現代の先端技術の集合体とも言える航空機。今ではICなくしては成り立ちません。
パソコン、携帯電話などのデジタル製品には、シリコンウェハーを使用したICが使われています。
化合物半導体は屋外表示用LEDディスプレーとして広く利用されています。

 

 

国際展開
半導体シリコンは、IC基板として世界中のデバイスメーカーから需要があります。それに対応するには、高度な単結晶化技術や加工技術、品質管理技術による安定供給体制の確立が必要です。信越化学は1967年に「信越半導体」を設立し、その技術の確立に努めてきました。現在「信越半導体」は、米国、マレーシア、英国、台湾に現地法人を設立し、高品質の半導体シリコンを生産。世界最大の供給メーカーとして、その責任を果たしています。
北米 アジア ヨーロッパ
S.E.H.アメリカ 台湾信越半導体
S.E.H.マレーシア
S.E.H.シャーラム
S.E.H.ヨーロッパ(英国)

S.E.H.アメリカ

台湾信越半導体

S.E.H.マレーシア

S.E.H.ヨーロッパ
300mmシリコンウェハー
300mmウェハーの本格的な量産化時代を迎え、シリコンウェハーに対するお客様の要求は、ますます厳しくなっています。信越半導体では、世界に先駆けて300mmシリコンウェハーの量産を開始し、市場への安定供給体制を確立しました。今後もお客様のより高度な要求にお応えするため、品質向上へのたゆまぬ努力と挑戦を続けていきます。

 

特徴
  • 2001年2月に量産を開始して以来、市場の拡大に応えています。
  • デザインルール0.13μm以下の最先端デバイスに対応します。
  • お客様の高度な要求に応えるため、さまざまな製品をラインアップしています。

 

用途
  • メモリーデバイス用基板、マイクロプロセッサーデバイス用基板など

 

製品資料(PDF)

IG-NANAウェハー
高温プロセスから低温プロセスまで幅広いデバイス工程に対応し、高機能と低コストを両立したウェハーです。

 

特徴
  • BMDを均一かつ高密度に生成でき、ゲッター効果を促進できます。
  • 表層は、無欠陥層を形成することができます。
  • 微細化などの最先端デバイスに対応します。
  • 300mmウェハーへの展開が可能です。

 

用途
  • メモリーデバイス用基板、ロジックデバイス用基板など

 

製品資料(PDF)

SOIウェハー
Si活性層直下に絶縁酸化膜のある理想的な構造のウェハーです。高速L S I、低消費電力L S I、センサー、パワーデバイスおよびM E M S など、最先端デバイス用材料として適しています。

 

特徴
  • SOI層の膜厚均一性に優れています。
  • ポリッシュド・ウェハーと同等のSOI層結晶品質を実現。
  • 熱酸化膜と同質の埋め込み酸化膜を実現。
  • 量産安定性に優れています。

 

ラインナップ
  • SOI層の厚さおよび抵抗率の指定ができます。
  • ベースおよびボンドウェハーの選択ができます。
  • 埋め込み酸化膜厚の指定ができます。

 

用途
  • 高速、低消費電力、低電圧動作のLSI用基板
  • システム(System-On-Chip)LSI用基板
  • 高温環境下に強いLSI用基板
  • 放射線により強いLSI用基板

 

製品資料(PDF)

化合物半導体
化合物半導体は、発光ダイオード(LED)やレーザーといった発光素子材料として利用されています。
このようなオプトエレクトロニクス分野でも、信越半導体は、つねに新しい材料の調査・研究・開発を進め、発光ダイオードの素材として使用されるガリウム・リン(GaP)の最大手メーカーとして、国内の供給はもとより海外にも広く製品を輸出しています。

 

発光用化合物半導体

信越半導体は、視認用媒体である発光ダイオード(LED)の代表素材であるガリウム・リン(GaP)、ガリウム・ヒ素・リン(GaAsP)およびアルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)においては、結晶から基板、エピタキシャルウェハー、チップに至るまで、一貫して生産している専門のメーカーです。品質では、輝度・色調・電気特性などで非常に高い評価をいただいています。すぐれた結晶技術と液相および気相エピタキシャル成長技術によって、各色(緑・赤・黄・橙)の発光ダイオード材料を量産。単体のランプから各種標識・表示機、あるいはコピー機・ファクシミリなどの情報機器のライン光源に使用され、今後も応用分野の拡大が期待されています。

 

製品資料(PDF)