信越グループは、ICの基板になるシリコンウェハーの世界のリーディングカンパニーとして大口径化、ハイフラットネスの最先端を走り続けてきました。次世代の300mmウェハーやSOIウェハーの製品化にもいち早く成功し、高品質の製品を安定して供給しています。
信越グループは、日本、アジア、アメリカ、ヨーロッパにシリコンウェハー生産拠点を持ち、その総生産量は世界最大です。

国際展開について

昔「火打ち石」、いまメインメモリの素。

昔は火打ち石に使われていた「けい石」。そこにたくさん含まれているケイ素を取り出して、作られるのが金属ケイ素。金属ケイ素から、９９．９９９９９９９９９％という高純度のケイ素の塊、多結晶シリコンが作られます。信越化学では、この多結晶シリコンを原料に、結晶成長技術を駆使して一定の原子配列を持った直径約３０センチ（１２インチ）、長さ約１ｍという大きなシリコンの結晶（単結晶）を作ることができます。この単結晶の塊（インゴット）を、薄くスライスして作られるのがシリコンウェハーです。

■特徴

クォーターミクロン（４千分の１mm単位）の精度へ。

導体と絶縁体の中間にある「半導体」の性質を利用して、数千万にのぼる回路素子を１辺数ミリのチップ上に組み込んだものが集積回路。パソコンのメインメモリなどに、いまや欠かせない存在です。その集積回路の載っている基板がシリコンウェハー。回路素子の集積度が高まるにつれ、回路を描く線の太さは１μｍの４分の１という細さになり、わずか０．１μｍ（１万分の１ｍｍ）のホコリさえ付着させない清浄さが求められています。また、回路を正確に表現するため、表面の平坦さへの要求も高度なレベルになっています。これに応え、信越グループが送り出すシリコンウェハーは、１万平方メートルの野球場大に拡大しても、その高低差はわずか０.２mm以下という平坦さです。

■製品紹介

300mmシリコンウェハー

300mmウェハーの本格的な量産化時代を迎え、シリコンウェハーに対するお客様の要求は、ますます厳しくなっています。信越半導体では、世界に先駆けて300mmシリコンウェハーの量産を開始し、市場への安定供給体制を確立しました。今後もお客様のより高度な要求にお応えするため、品質向上へのたゆまぬ努力と挑戦を続けていきます。

＜特徴＞
●2001年2月に量産を開始して以来、市場の拡大に
　 応えています。
●デザインルール0.13μm以下の最先端デバイスに対応します。
●お客様の高度な要求に応えるため、さまざまな製品をラインアップしています。

＜用途＞
●メモリーデバイス用基板、マイクロプロセッサーデバイス用基板など

＜資料＞（PDF）
300mmシリコンウエハー

IG-NANAウェハー

高温プロセスから低温プロセスまで幅広いデバイス工程に対応し、高機能と低コストを両立したウェハーです。

＜特徴＞
●BMDを均一かつ高密度に生成でき、ゲッター効果を
　 促進できます。
●表層は、無欠陥層を形成することができます。
●微細化などの最先端デバイスに対応します。
●300mmウェハーへの展開が可能です。

＜用途＞
●メモリーデバイス用基板、ロジックデバイス用基板など

＜資料＞（PDF）
IG-NANAシリコンウエハー

SOIウェハー

Si活性層直下に絶縁酸化膜のある理想的な構造のウェハーです。高速L S I、低消費電力L S I、センサー、パワーデバイスおよびM E M S など、最先端デバイス用材料として適しています。

＜特徴＞
●SOI層の膜厚均一性に優れています。
●ポリッシュド･ウェハーと同等のSOI層結晶品質を実現。
●熱酸化膜と同質の埋め込み酸化膜を実現。
●量産安定性に優れています。

＜ラインアップ＞
●SOI層の厚さおよび抵抗率の指定ができます。
●ベースおよびボンドウェハーの選択ができます。
●埋め込み酸化膜厚の指定ができます。

＜用途＞
●高速、低消費電力、低電圧動作のLSI用基板
●システム（System-On-Chip）LSI用基板
●高温環境下に強いLSI用基板
●放射線により強いLSI用基板

＜資料＞（PDF）
SOIウエハー

■最新のニュース

信越化学工業(株)　300mmウエハー生産能力早期大幅増強を決定

信越半導体　2004年末までに300mmシリコンウェハー生産能力を30万枚/月へ増強

■お問い合わせ先

信越化学工業株式会社 半導体事業部
電話：03-3246-5211
FAX：03-3246-5335